近日,第31届半导体年度颁奖典礼在日本东京举行,山东天岳先进科技股份有限公司(以下简称“天岳先进”)凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的突破,获得“半导体电子材料”类金奖。这是中国企业自该奖项设立31年以来首次问鼎,标志着中国在半导体关键基础材料领域实现重大突破,也彰显了中国新一代半导体材料技术的国际领先地位。
据了解,半导体年度奖由日本半导体产业专业媒体《电子器件产业新闻》主办,旨在从全球范围内表彰在设备、器件及材料三大领域的杰出技术创新,其奖项以严苛的评选标准和行业权威性著称。
碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI 实现核心发展目标的基石之一。长期以来,高品质、大尺寸碳化硅衬底的制备技术壁垒极高,是国际竞争的焦点。天岳先进此次问鼎半导体国际金奖,其硬实力可见一斑。
“这个奖项是由日本行业专家从全球的优秀技术中投票选举产生,之前获奖的都是英伟达、索尼、美光、东芝等知名企业,本次能荣获金奖体现了天岳在国际上的影响力。”天岳先进市场总监王雅儒告诉新黄河记者,在种类繁多的电子材料中,该奖项首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料,不仅是对碳化硅行业广阔前景的一种关注和认可,更是对我国半导体产业发展的肯定。
荣誉背后,是天岳先进14年来持之以恒的创新、拼搏与技术突破。
面对技术壁垒,天岳先进通过不懈的技术攻坚与产业化推进,在材料晶体生长、缺陷控制、加工工艺等核心环节取得一系列突破性进展,不仅攻克了大尺寸化等世界级难题,更在材料性能上达到国际领先水平。
“碳化硅衬底材料制备和加工技术壁垒非常高,天岳先进成立以来十几年坚持自主创新,在业内率先突破了12英寸技术,这也是全球最大尺寸,实现了从跟跑到领跑的跨越。”王雅儒说。()
(新黄河客户端记者黄敏)
今日《济南时报》
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